时间：2025/8/13 18:06:33
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IAUT240N08S5N019是一款高性能、低导通电阻的N沟道功率MOSFET，由英飞凌（Infineon）公司生产。该器件专为高效率功率转换应用设计，具备优异的热稳定性和电气性能，适用于车载充电系统、DC-DC转换器、电池管理系统以及其他高功率密度场合。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：80V
最大漏极电流(Id)：240A
导通电阻(Rds(on))：1.9mΩ
栅极电荷(Qg)：150nC
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PG-HSOF-8
IAUT240N08S5N019具有极低的导通电阻，可在高电流应用中显著降低导通损耗。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了出色的热管理性能和高功率密度。此外，其高雪崩能量耐受能力和强大的短路保护性能使其在严苛的汽车环境中具备优异的可靠性。
该MOSFET的封装设计优化了PCB布局空间，适用于高密度功率模块设计。其快速开关特性有助于提高系统的整体效率，同时降低开关损耗。器件还内置了温度保护机制，以确保在高温条件下仍能稳定运行。
该器件广泛应用于汽车电子领域，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种高功率电源模块。此外，IAUT240N08S5N019也适用于工业电源、可再生能源系统以及储能系统中的功率转换部分。
IPB024N08N3 G02N08S5N019
