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STB75NF75LT4 发布时间 时间:2025/5/30 16:11:40 查看 阅读:11

STB75NF75LT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于要求高效能和快速切换的应用场景。其封装形式为TO-263(D2PAK),能够满足散热性能较高的应用需求。
  STB75NF75LT4的耐压值为75V,连续漏极电流高达75A,使其适用于各种工业、汽车及消费类电子设备中的电源管理电路。

参数

最大漏源电压:75V
  连续漏极电流:75A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:89nC(典型值)
  总功耗:260W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

STB75NF75LT4具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,可满足大功率应用的需求。
  3. 快速开关速度,降低了开关损耗,从而提升整体效能。
  4. 出色的热稳定性,能够在较高温度范围内正常工作。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 内置反向二极管,增强了抗干扰能力。
  这些特点使得STB75NF75LT4非常适合用于DC/DC转换器、电机驱动、负载开关等应用领域。

应用

STB75NF75LT4广泛应用于以下领域:
  1. 工业设备中的大功率开关电源。
  2. 汽车电子系统中的电机控制和负载驱动。
  3. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器。
  4. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
  由于其出色的电气特性和可靠性,这款MOSFET成为许多高要求应用场景的理想选择。

替代型号

STB80NF75LT4, IRFB7540PbF

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STB75NF75LT4参数

  • 其它有关文件STB75NF75L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 37.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4300pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3514-6