时间：2025/5/30 16:11:40
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STB75NF75LT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于要求高效能和快速切换的应用场景。其封装形式为TO-263（D2PAK），能够满足散热性能较高的应用需求。
STB75NF75LT4的耐压值为75V，连续漏极电流高达75A，使其适用于各种工业、汽车及消费类电子设备中的电源管理电路。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：75A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：89nC（典型值）
总功耗：260W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
STB75NF75LT4具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，可满足大功率应用的需求。
3. 快速开关速度，降低了开关损耗，从而提升整体效能。
4. 出色的热稳定性，能够在较高温度范围内正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 内置反向二极管，增强了抗干扰能力。
这些特点使得STB75NF75LT4非常适合用于DC/DC转换器、电机驱动、负载开关等应用领域。
STB75NF75LT4广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的大功率开关电源。
2. 汽车电子系统中的电机控制和负载驱动。
3. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器。
4. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET成为许多高要求应用场景的理想选择。
STB80NF75LT4, IRFB7540PbF
