时间：2025/6/21 16:32:27
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GCG21BR71H184JA01K是一款由知名半导体制造商生产的高性能功率MOSFET芯片，主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其封装形式为TO-263（D2PAK），支持表面贴装技术（SMT），能够满足工业级和汽车级应用的严格要求。
型号：GCG21BR71H184JA01K
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：70V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
总栅极电荷(Qg)：98nC
输入电容(Ciss)：5340pF
输出电容(Coss)：330pF
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263(D2PAK)
GCG21BR71H184JA01K具备卓越的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻(1.8mΩ)，可显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关电源及逆变器应用。
3. 具备强大的热性能设计，有助于在高温环境下保持稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 支持大电流操作(高达50A)，适用于多种高功率场景。
该芯片广泛应用于各类高功率电子设备中，具体包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 直流-直流(DC-DC)变换器的核心元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)与逆变器模块。
5. 工业自动化控制中的功率调节系统(PRS)。
6. 不间断电源(UPS)和其他需要高效功率管理的应用场景。
GCG21BR71H184GA01K, IRF7845, FDP5500
