时间：2025/5/7 23:58:01
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HZU16B3TRF-E 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该器件为N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种需要高效功率转换的场景。其封装形式通常为TO-252（DPAK），具备良好的散热特性和电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：16A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：40nC
开关速度：15ns
工作温度范围：-55℃ to 150℃
HZU16B3TRF-E 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性，确保在极端条件下依然能保持稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代化电子产品中。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. 各类DC-DC转换器的核心功率处理单元。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED驱动器中的关键开关组件。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP16N60C, BUK7Y1R2-60E
