电容值：22nF (22000pF)
　　电容公差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：X7R（或其他类似中等稳定型介电材料）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　端接类型：三层电极（Ni/Sn）
　　产品系列：Panasonic UVZ 系列
　　直流电阻（DCR）：极低（典型值在毫欧级别）
　　等效串联电阻（ESR）：低至数毫欧至几十毫欧，取决于频率条件
　　绝缘电阻：≥ 50 MΩ 或 ≥ 1000 Ω·F（最小值）
　　使用寿命：在额定条件下可长期稳定运行

UVZ1C223MRD 具备出色的电性能稳定性与机械可靠性，适用于多种严苛环境下的电子应用。该电容器采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由数十甚至上百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成，从而实现较高的体积效率，在较小封装下提供相对较大的电容值。其使用的X7R类介电材料具有良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C范围内电容变化不超过±15%，这使得它非常适合用于对温漂有一定要求但不需要NP0/C0G级别超高精度的场景。此外，该器件具备极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升电源去耦、滤波和旁路效果，尤其在高频开关电源和高速数字电路中表现优异。
　　另一个关键特性是其优异的抗湿性和耐焊接热冲击能力。UVZ1C223MRD 采用三层端子电极结构（铜-镍-锡），有效防止焊料渗透（solder leaching）和裂纹扩展，提高贴装后的长期可靠性。这种结构还能增强与PCB之间的机械连接强度，减少因热循环或机械振动导致的开裂风险。此外，该电容器符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，并支持回流焊工艺，兼容现代无铅焊接流程。
　　在寿命和可靠性方面，UVZ1C223MRD 经过严格的质量控制和老化测试，能够在额定电压和温度条件下持续工作数千小时而性能衰减极小。松下在其数据手册中通常提供详细的寿命计算模型，基于电压、温度和负载条件预测失效率。同时，该器件具有较强的耐电压波动能力，短时过压承受能力强于普通MLCC，降低了因瞬态电压尖峰引起的击穿风险。这些综合特性使其成为中高压、中容量需求场合的理想选择。

UVZ1C223MRD 多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常被用作电源管理单元（PMU）或DC-DC转换器的输入/输出滤波电容，利用其低ESR特性有效抑制电压纹波并提升电源效率。在通信模块中，包括Wi-Fi、蓝牙和蜂窝网络射频前端电路，UVZ1C223MRD 可作为旁路电容，为高频信号提供稳定的接地路径，减少噪声干扰，提升信号完整性。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC控制器、传感器接口电路和电机驱动模块中的去耦和滤波应用。其宽工作温度范围和良好的温度稳定性确保在高温工业环境中仍能保持性能一致。在汽车电子系统中，尽管不属于AEC-Q200认证的车规级产品，但在非安全关键的车载信息娱乐系统、车内照明控制板或辅助电源模块中仍有广泛应用潜力，尤其是在成本与性能之间需要平衡的设计中。
　　此外，UVZ1C223MRD 也适用于各种通用模拟电路，例如运算放大器偏置电路、ADC/DAC参考电压滤波、音频耦合与去耦等场合。由于其0805封装尺寸兼顾了焊接可靠性与空间利用率，适合手工维修与自动化生产双重需求，因此在原型开发和批量生产中均表现出良好的适应性。