HZU13B2TR 是一款由 Renesas Electronics 生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管专为高频放大和开关应用设计,适用于无线通信、射频(RF)模块、音频放大器和其他需要高速响应的电子电路。HZU13B2TR 采用小型表面贴装封装(SOT-23 或类似封装),适用于自动化装配流程,具有良好的热稳定性和电气性能。该器件符合 RoHS 标准,适用于环保电子产品。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
最大功耗(Ptot):200 mW
频率(fT):100 MHz
电流增益(hFE):110 ~ 800(根据电流和温度条件变化)
封装类型:SOT-23 或类似表面贴装封装
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
HZU13B2TR 是一款高频 NPN 晶体管,具有较高的电流增益和良好的频率响应,适合用于中频和射频放大器。其 hFE 值范围较宽,可根据不同应用需求选择合适的工作点。该晶体管的过渡频率(fT)可达 100 MHz,使其在高频开关和放大电路中表现出色。此外,HZU13B2TR 具有较低的饱和压降(Vce(sat)),有助于减少功耗并提高效率。其 SOT-23 封装体积小、重量轻,便于在高密度 PCB 设计中使用。该晶体管还具备良好的热稳定性和抗干扰能力,在各种工作环境下都能保持稳定性能。
在制造工艺方面,HZU13B2TR 采用了先进的硅外延平面技术,提升了器件的可靠性和一致性。其内部结构优化设计,使得在高频应用中具有更低的噪声和更高的线性度,适用于音频前置放大、RF 混频器、开关电路和数字逻辑电路。此外,该晶体管的封装材料符合 RoHS 指令,支持无铅焊接工艺,适应现代电子制造的环保要求。
HZU13B2TR 主要用于射频放大器、中频放大电路、无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi 模块、音频前置放大器、数字开关电路、传感器接口电路以及各种需要高频响应的电子控制系统。它也常用于消费类电子产品、工业控制设备和汽车电子模块中的信号放大和开关控制功能。
BC847 NPN, 2N3904, 2N2222, PN2222A, MMBT3904, MMBT2222