时间：2025/6/22 13:37:43
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STD3NK50Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用场合。
这款MOSFET的设计旨在提供高效的功率转换和优异的热性能，使其成为工业控制、消费电子以及汽车电子领域的理想选择。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：3A
导通电阻：6.4Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷：38nC
输入电容：1150pF
功耗：17W
工作温度范围：-55℃至+150℃
STD3NK50Z具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（500V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（6.4Ω），从而减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷（38nC），有助于降低开关损耗。
4. 采用标准的TO-220封装，便于安装和散热设计。
5. 良好的热稳定性，适合高温环境下长期工作。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
STD3NK50Z广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 负载切换电路，保护下游设备免受过流或短路的影响。
4. 逆变器和功率转换模块中的功率级元件。
5. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
6. 工业自动化设备中的功率控制元件。
IRF840,
FDP18N50,
STP3NK50Z
