EDI8M8256C-75CB 时间：2025/8/24 13:14:10 阅读：8

EDI8M8256C-75CB 是一款由Elantec公司（现属于Intersil）设计的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片的存储容量为8Mbit，组织形式为8位数据宽度，适用于需要快速数据存储和访问的系统应用。该型号属于EDO（Extended Data Out）类型的DRAM，具有较高的数据访问效率，适用于早期的计算机系统、嵌入式系统以及需要高速数据处理的工业设备。其封装形式为165引脚塑料封装（CB后缀通常表示TSOP封装），能够在工业级温度范围内稳定工作。

参数

容量：8Mbit
　　组织结构：8位数据宽度（x8）
　　工作电压：3.3V 或 5V（视具体版本而定）
　　访问时间：7.5ns（-75后缀表示访问速度）
　　封装类型：165-TSOP（CB后缀）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步DRAM接口
　　刷新周期：64ms
　　最大工作频率：约133MHz（根据时序参数）

特性

EDI8M8256C-75CB 是一款采用EDO技术的DRAM芯片，其主要特性在于其扩展数据输出（EDO）模式，允许在下一个地址周期开始之前保持数据输出有效，从而提高了数据传输效率，相较于传统的FPM（Fast Page Mode）DRAM性能有所提升。该芯片的高速访问时间7.5ns意味着其访问速度较高，适用于需要快速读写操作的应用场景。此外，该芯片支持常见的异步DRAM控制信号，如行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE），便于与各种控制器接口连接。
　　在电源管理方面，EDI8M8256C-75CB 可以支持多种电压选项，具体取决于制造批次和版本，3.3V或5V的兼容性使得它可以在不同系统中灵活使用。其封装形式为165-TSOP，有助于减少电路板空间占用并提高高频下的电气性能。该芯片还支持标准的刷新操作，以维持数据的完整性，确保在断电前数据不会丢失。
　　该芯片在设计上具有良好的兼容性和稳定性，适合于嵌入式系统、工业控制设备、老式PC内存扩展模块等应用场合。虽然随着技术的发展，SDRAM、DDR SDRAM等更先进的内存技术已经逐渐取代了EDO DRAM，但在一些特定的老旧系统或工业设备中，EDI8M8256C-75CB 仍然具有一定的应用价值。

应用

EDI8M8256C-75CB 主要应用于需要中等容量高速存储器的系统中。常见于20世纪90年代中期至2000年代初期的个人计算机主板、图形加速卡、工业控制设备、网络设备以及一些嵌入式系统中作为主存或缓存使用。由于其EDO特性带来的性能优势，特别适用于需要较高数据吞吐量但又未采用更先进同步DRAM技术的系统。此外，该芯片也常用于一些需要长期维护的工业控制系统中，因其在工业温度范围内具有良好的稳定性和可靠性。