BD840CS 时间：2025/8/15 1:05:25 阅读：3

BD840CS是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ROHM Semiconductor生产。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。BD840CS采用小型表面贴装封装（SOP），适合高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP8
　　功率耗散（PD）：1.5W

特性

BD840CS采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较高温度下稳定工作，适合工业级应用环境。其栅极驱动电压范围较宽（通常可在4.5V至20V之间工作），兼容多种驱动电路设计，增强了设计灵活性。
　　BD840CS还具备良好的短路耐受能力，有助于提高系统的鲁棒性。其SOP8封装形式便于自动化生产和焊接，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。

应用

BD840CS广泛应用于各种电源管理和开关控制电路中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的初级或次级侧开关器件，用于提高转换效率和减小体积。
　　2. DC-DC降压/升压转换器中的功率开关，适用于便携式设备、车载电子系统等。
　　3. 负载开关电路，用于控制电池供电设备中的电源分配。
　　4. 电机驱动和继电器驱动电路中的开关元件，提供快速响应和低功耗控制。
　　5. LED驱动电路、传感器控制电路以及其他需要低导通电阻和高频开关能力的场合。