类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大漏极电流（ID）：75A（在 Tc=25°C 时）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（最大值，典型值 0.015Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C~175°C
　　封装形式：TO-264
　　最大功率耗散（PD）：250W

FQA75N15 的最大优势在于其极低的导通电阻，这使得它在高电流工作条件下能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其导通电阻最大为 0.018Ω，在同类器件中处于领先水平。此外，该器件采用先进的平面技术，具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高温度环境下稳定工作。
　　该 MOSFET 支持高达 75A 的连续漏极电流，适合用于高功率密度设计。其封装形式为 TO-264，具备良好的散热性能，适用于需要高电流能力的应用场景。
　　另外，FQA75N15 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。它的栅极电荷较低，使得驱动电路更加简单，降低了驱动损耗。此外，该器件的短路耐受能力较强，有助于在异常工作条件下保护电路。
　　从应用角度看，FQA75N15 的高可靠性和高效率使其广泛用于工业电源、电机控制、DC-DC 转换器、UPS、电池管理系统和太阳能逆变器等场合。

FQA75N15 主要用于高功率开关应用，例如电源管理系统、DC-DC 转换器、电机驱动电路、不间断电源（UPS）、逆变器以及各种工业自动化控制系统。其高电流能力和低导通电阻也使其在电池供电系统和高能效电源转换器中具有良好的性能表现。

IRF1405, STP75NF15, FDP75N15