时间：2025/9/7 8:00:05
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HZM10NB2TR 是一款由 Renesas Electronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用场景。该 MOSFET 采用 TSON（Thin Small Outline No-lead）封装，适合空间受限的设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8.5A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 8.5mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSON
HZM10NB2TR 是一款高性能功率 MOSFET，具有多个关键特性，使其适用于多种功率管理应用。
首先，该器件的最大漏源电压为 100V，最大连续漏极电流可达 8.5A，在高负载条件下仍能稳定运行。其导通电阻 Rds(on) 最大仅为 8.5mΩ，在 Vgs=10V 时能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这使得 HZM10NB2TR 非常适合用于需要高效率和低发热的电源转换应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
其次，HZM10NB2TR 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。同时，其最大栅源电压为 ±20V，具备较强的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动器配合使用。
此外，该器件采用 TSON 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能。TSON 封装有助于降低热阻，提高散热能力，从而确保器件在高功率密度应用中的稳定运行。这种封装形式也适用于自动化贴片工艺，提高了制造效率。
最后，HZM10NB2TR 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有较强的环境适应性，能够在极端温度条件下可靠工作。这一特性使其适用于工业控制、汽车电子和便携式设备等多种应用场景。
HZM10NB2TR 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流或主开关，显著提高转换效率并减少发热。在负载开关电路中，HZM10NB2TR 可用于控制电源的通断，适用于电池供电设备和移动设备的电源管理。此外，该 MOSFET 还可用于电机驱动和逆变器设计，在工业自动化和电机控制领域发挥重要作用。由于其优异的性能和小型化封装，HZM10NB2TR 也适用于空间受限的设计，如便携式电子设备、LED 驱动电源和电源管理模块。
SiSS100N10P-T2-GE3, IRFZ48N, FDPF8N50U, STP8NM50N
