IS65WV25616DBLL-45CTLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片拥有256K x 16位的存储容量,适用于需要高速数据访问且不需要刷新操作的应用场合。IS65WV25616DBLL-45CTLA1采用55nm工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备、嵌入式系统等领域。
容量:256K x 16位
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:45ns
封装类型:TSOP
封装尺寸:54-pin
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
封装引脚数量:54
数据宽度:16位
最大工作频率:约18MHz
输入/输出电平:TTL兼容
读写控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
地址线数量:18条(A0-A17)
数据线数量:16条(DQ0-DQ15)
IS65WV25616DBLL-45CTLA1 是一款高性能的异步SRAM,具备快速访问时间和低功耗特性。其异步接口设计使其能够在没有时钟信号的情况下运行,依靠地址和控制信号的变化来触发读写操作。该芯片的最大访问时间为45ns,意味着其读写速度可以满足高速数据处理的需求。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)允许其适应多种电源系统,提高了应用的灵活性。
该SRAM芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性,适合在工业环境下运行。其TSOP封装形式不仅体积小巧,而且有助于提高PCB布局的密度,适用于空间受限的设计。IS65WV25616DBLL-45CTLA1 的低待机电流特性也使其适用于对功耗敏感的应用,如电池供电设备或长时间运行的工业控制系统。
在操作方面,该芯片支持标准的SRAM读写协议,具有CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)控制信号,便于与各种微控制器或逻辑电路接口。地址线A0至A17允许访问256K地址空间,而DQ0至DQ15数据线则提供16位并行数据传输能力,从而实现高效的数据吞吐。
IS65WV25616DBLL-45CTLA1 适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。其高速和低功耗特性使其成为网络路由器、交换机、FPGA配置缓存、数据采集系统和工业自动化控制器的理想选择。此外,该芯片也广泛用于医疗设备、测试仪器、视频处理设备和通信模块等需要高速临时存储数据的场合。由于其异步接口设计,该芯片特别适合用于与传统微处理器或微控制器配合工作的系统中,例如基于8051、Z80、68000等架构的系统。
IS61WV25616BLL-45CRLL、CY62148E