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IS65WV25616DBLL-45CTLA1 发布时间 时间:2025/9/1 9:10:16 查看 阅读:4

IS65WV25616DBLL-45CTLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片拥有256K x 16位的存储容量,适用于需要高速数据访问且不需要刷新操作的应用场合。IS65WV25616DBLL-45CTLA1采用55nm工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备、嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 16位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:45ns
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54-pin
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装引脚数量:54
  数据宽度:16位
  最大工作频率:约18MHz
  输入/输出电平:TTL兼容
  读写控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
  地址线数量:18条(A0-A17)
  数据线数量:16条(DQ0-DQ15)

特性

IS65WV25616DBLL-45CTLA1 是一款高性能的异步SRAM,具备快速访问时间和低功耗特性。其异步接口设计使其能够在没有时钟信号的情况下运行,依靠地址和控制信号的变化来触发读写操作。该芯片的最大访问时间为45ns,意味着其读写速度可以满足高速数据处理的需求。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)允许其适应多种电源系统,提高了应用的灵活性。
  该SRAM芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性,适合在工业环境下运行。其TSOP封装形式不仅体积小巧,而且有助于提高PCB布局的密度,适用于空间受限的设计。IS65WV25616DBLL-45CTLA1 的低待机电流特性也使其适用于对功耗敏感的应用,如电池供电设备或长时间运行的工业控制系统。
  在操作方面,该芯片支持标准的SRAM读写协议,具有CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)控制信号,便于与各种微控制器或逻辑电路接口。地址线A0至A17允许访问256K地址空间,而DQ0至DQ15数据线则提供16位并行数据传输能力,从而实现高效的数据吞吐。

应用

IS65WV25616DBLL-45CTLA1 适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。其高速和低功耗特性使其成为网络路由器、交换机、FPGA配置缓存、数据采集系统和工业自动化控制器的理想选择。此外,该芯片也广泛用于医疗设备、测试仪器、视频处理设备和通信模块等需要高速临时存储数据的场合。由于其异步接口设计,该芯片特别适合用于与传统微处理器或微控制器配合工作的系统中,例如基于8051、Z80、68000等架构的系统。

替代型号

IS61WV25616BLL-45CRLL、CY62148E

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IS65WV25616DBLL-45CTLA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织256K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装44-TSOP II