型号：SR130L-4S
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：16A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：64A
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：22nC（@VGS=10V）
　　输入电容(Ciss)：1020pF（@VDS=20V）
　　输出电容(Coss)：380pF
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻结到外壳(RθJC)：2.5℃/W
　　功率耗散(PD)：2.5W（@TA=25℃）

SR130L-4S采用先进的沟槽栅极技术和硅基半导体工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用场景中能有效减少导通损耗，提升整体系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为13mΩ，在同类产品中处于领先水平，这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长电池续航时间并减少发热问题。器件的栅极结构经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg=22nC）和输入电容（Ciss=1020pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动电路的设计复杂度和功耗。同时，较低的输出电容（Coss=380pF）也有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电源转换效率。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的结温（最高可达150℃），能够在高温环境下稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。SOP-8封装不仅节省空间，还提供了较好的散热性能，通过PCB布局可实现有效的热管理。此外，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向电流承载能力，适用于需要续流功能的拓扑结构如H桥或同步整流电路。SR130L-4S的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了与逻辑电平信号的良好兼容性，支持直接由微控制器IO口驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了抗干扰能力和使用安全性。整体而言，SR130L-4S是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于高密度、高效率的电源系统设计。

SR130L-4S广泛应用于多种中低电压功率控制场景。在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和移动电源，常被用作电池充放电管理电路中的开关元件，利用其低导通电阻和高效率特性来减少能量损耗并提升续航能力。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件作为主开关或同步整流管使用，能够显著提高转换效率，尤其是在高频率工作条件下表现优异。此外，在电机驱动电路中，SR130L-4S可用于驱动小型直流电机或步进电机，其快速开关特性和高电流承载能力确保了电机启动和运行的平稳性。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可用于负载开关、热插拔控制和过流保护电路，通过快速响应控制信号实现对负载的精确通断控制。在LED驱动电源中，也可作为恒流调节开关使用，配合PWM调光实现亮度控制。工业控制领域中，SR130L-4S适用于PLC模块、传感器供电单元和继电器替代方案，提供固态开关的高可靠性和长寿命优势。由于其符合RoHS标准且具备良好的环境适应性，也适用于智能家居、物联网终端和无人机等新兴智能设备中的电源模块设计。总之，凡涉及40V以下电压等级、需要高效功率切换的应用，SR130L-4S均是一个理想的选择。

SI2302,DMG2302U,SZ2302,NXM2002N