时间：2025/9/2 6:31:20
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HYMP112S64CP6-Y5 是由SK Hynix（海力士）生产的一款移动式动态随机存取存储器（Mobile DRAM）芯片，主要用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。这款DRAM芯片采用了低功耗设计，适用于需要高带宽和节能特性的应用场景。HYMP112S64CP6-Y5 的命名中，“HYM”代表SK Hynix的移动DRAM产品线，“P112”表示容量和位宽组合，“S64C”表示具体的配置和封装形式，“P6”可能表示封装类型或引脚数，“Y5”则代表速度等级或时钟频率。
容量：128MB
数据宽度：16位
封装类型：FBGA
电压：1.8V/2.5V（双电压供电）
时钟频率：166MHz
存取时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
内存类型：DRAM
工艺技术：CMOS
功耗：低功耗模式支持
封装尺寸：54-ball FBGA
HYMP112S64CP6-Y5 是一款高性能的移动DRAM芯片，采用了先进的CMOS工艺制造，具有良好的稳定性和较低的功耗。其主要特性包括：
1. **低功耗设计**：该芯片具备多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down），适合移动设备在待机或低负载状态下节省电能。
2. **高速性能**：支持166MHz的时钟频率，提供高达166MHz的存取速度，满足了现代移动设备对高速数据处理的需求。
3. **紧凑封装**：采用54-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，体积小、重量轻，适合集成到空间受限的移动设备中。
4. **兼容性良好**：该DRAM芯片与JEDEC标准兼容，便于设计和应用开发。
5. **宽温度范围**：工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在各种环境条件下稳定工作，适用于严苛的工业和车载应用场景。
6. **双电压供电**：支持1.8V和2.5V双电压供电，能够适应不同的系统电源设计，优化功耗表现。
HYMP112S64CP6-Y5 主要应用于需要高性能和低功耗的移动设备中，例如：
? 智能手机和平板电脑
? 便携式媒体播放器
? 车载娱乐系统
? 工业控制设备
? 网络通信设备
? 可穿戴设备
由于其高速和低功耗特性，该芯片也适用于需要频繁数据访问和实时处理的嵌入式系统。
HYMP112S64C06A-Y5, HYMP112S64C1BPA-Y5, HYMP112S64C08A-Y5
