时间：2025/4/29 11:10:57
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PMV37EN是Nexperia（前身为恩智浦半导体的分立元件部门）生产的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特性，适用于多种电源管理应用。其封装形式为SOT23-3L，体积小巧，非常适合对空间要求较高的设计。
型号：PMV37EN
封装：SOT23-3L
VDS（漏源电压）：-30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.5Ω（在VGS=-4.5V时）
ID（连续漏极电流）：-0.68A
PD（总功耗）：360mW
f（工作频率）：1MHz
VGS(th)（栅极开启电压）：-1.5V至-2.5V
工作温度范围：-55℃至+150℃
PMV37EN是一款高性能P沟道MOSFET，主要特点包括：
1. 低导通电阻：其RDS(on)典型值仅为1.5Ω，能够显著降低导通损耗，提高效率。
2. 高耐压能力：支持高达-30V的漏源电压，能够在较宽的电压范围内稳定运行。
3. 快速开关性能：具备较低的输入和输出电荷，支持高达1MHz的工作频率，适用于高频应用。
4. 小型化设计：采用SOT23-3L封装，节省了电路板空间，便于小型化产品设计。
5. 宽工作温度范围：可在-55℃至+150℃的环境下可靠工作，适应多种应用场景。
6. 可靠性高：通过严格的制造工艺控制，确保了产品的长期可靠性。
PMV37EN广泛应用于各种需要高效功率开关的场合，主要包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流或负载开关。
2. 便携式电子设备的电源管理模块，如手机、平板电脑和可穿戴设备。
3. 电池保护电路，用于防止过放电或过充电。
4. 汽车电子系统中的负载切换或保护功能。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
6. LED驱动器中的电流调节与控制电路。
7. 各类消费类电子产品中的功率管理单元（PMU）。
PMV37UP, PMV37UN
