您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805Y393KBBBT31G

GA0805Y393KBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:13:39 查看 阅读:4

GA0805Y393KBBBT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,属于高效能宽禁带半导体器件。它具有高开关频率、低导通电阻和高耐压能力,适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的封装技术,能够有效降低寄生电感和提高散热性能。
  这款 GaN 功率晶体管特别适合用于需要高性能和小尺寸的设计场景,例如数据中心电源、电动汽车充电设备和消费类快充适配器等领域。

参数

最大漏源电压:600V
  持续漏极电流:30A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:120nC
  反向恢复电荷:无
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

GA0805Y393KBBBT31G 的主要特点是其卓越的效率和高频操作能力。由于 GaN 材料的固有优势,该器件能够实现比传统硅基 MOSFET 更高的开关速度,同时保持较低的开关损耗。
  此外,它的低导通电阻确保了在大电流条件下也能维持较高的转换效率。先进的封装设计进一步增强了热管理和电气性能,使其非常适合高功率密度的应用。
  GaN 技术还带来了更少的电磁干扰 (EMI),这使得设计工程师可以简化滤波电路并减小整体系统尺寸。
  综合来看,GA0805Y393KBBBT31G 在效率、可靠性和易用性方面表现优异,是现代功率电子领域的理想选择。

应用

该器件广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下:
  1. 高频 AC-DC 转换器
  2. 图腾柱 PFC(功率因数校正)电路
  3. LLC 谐振变换器
  4. 汽车车载充电器 (OBC)
  5. 数据中心服务器电源
  6. 工业电机驱动
  7. 快速充电器和适配器
  凭借其出色的性能指标,GA0805Y393KBBBT31G 成为众多高端应用的理想解决方案。

替代型号

GS61008P, EPC2020

GA0805Y393KBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-