时间：2025/7/24 18:47:46
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HYMD116M6458-H 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片专为高带宽和低延迟应用设计，广泛应用于计算机系统、服务器、网络设备和嵌入式系统中。HYMD116M6458-H 是一款支持DDR3 SDRAM（双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器）标准的内存芯片，具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性。
类型：DRAM
内存类型：DDR3 SDRAM
容量：256MB
数据宽度：16位
电压：1.35V / 1.5V
时钟频率：最高支持800MHz
数据速率：1600Mbps
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
工作温度范围：0°C 至 85°C
HYMD116M6458-H 的核心特性之一是其高速数据传输能力，能够以1600Mbps的数据速率运行，显著提高了系统的数据处理能力。该芯片支持多种突发长度模式，包括突发长度为8和突发长度为4的模式，使得其能够适应不同的系统需求。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，有助于减少外部控制器的负担并降低功耗。
在低功耗设计方面，HYMD116M6458-H 支持两种电压模式：标准1.5V和低电压1.35V，后者能够在不牺牲性能的前提下显著降低功耗。这对于移动设备和嵌入式系统尤为重要，因为它们对功耗和热管理有较高的要求。
该芯片采用了TSOP封装技术，具有良好的电气性能和散热能力，适合在高密度PCB布局中使用。其工作温度范围为0°C至85°C，能够适应大多数工业环境，确保了在各种应用中的稳定性和可靠性。
HYMD116M6458-H 通常用于需要高性能内存支持的应用场景。它广泛应用于个人计算机、服务器、工作站、网络设备（如路由器和交换机）、工业控制系统、消费类电子产品（如高端游戏机和多媒体设备）以及嵌入式系统中。由于其高速数据传输能力和低功耗特性，该芯片也适用于对能效和性能要求较高的数据中心和云计算设备。
HYMD116S6458-H, HYMD128M6458-H, K4B2G1646Q-HBCN
