时间：2025/8/5 21:40:26
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IXXH75N60B3是一款由Infineon Technologies制造的高功率、高效率的功率MOSFET晶体管。该器件基于CoolMOS?技术，适用于高电压和高电流的应用场景。IXXH75N60B3具有优异的热性能和低导通电阻特性，使其在功率转换和电源管理领域中具有广泛的应用。
类型：功率MOSFET
工艺技术：CoolMOS?
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.095Ω
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷(Qg)：典型值为130nC
功率耗散(Pd)：300W
IXXH75N60B3具有多个显著的性能特点，首先是其采用CoolMOS?技术，这使得该器件在高压条件下具有极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了效率。其次，该MOSFET具有较高的电流处理能力，额定漏极电流为75A，适合高功率应用场景。
此外，IXXH75N60B3的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，能够有效管理器件在高负载条件下的热量积累。该器件的栅极电荷（Qg）较低，减少了开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。
在可靠性方面，IXXH75N60B3具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适合在各种恶劣环境条件下运行。同时，其具备良好的短路耐受能力，增强了器件在突发负载变化下的稳定性。
IXXH75N60B3广泛应用于各种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路。由于其高效率和高电流处理能力，该器件特别适合用于工业电源设备和服务器电源系统。
在可再生能源领域，IXXH75N60B3也常用于太阳能逆变器和风能转换系统的功率转换模块。此外，该MOSFET还适用于电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）以及高功率LED照明系统等应用场景。
凭借其卓越的电气性能和可靠的工作表现，IXXH75N60B3在需要高效能功率管理的现代电子设备中占据着重要地位。
IXFN75N60P, STF75N60M2, FCP75N60
