容量：64GB
　　接口：SATA 6Gbps
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：520MB/s
　　写入速度：480MB/s
　　闪存类型：TLC NAND
　　控制器：内置高性能主控芯片
　　错误校正：支持ECC技术
　　耐用性：1,000次编程/擦除周期
　　尺寸：标准M.2 2280规格
　　电源电压：3.3V

HYIOSIJOMF3P-6S60E-C 是一款专为工业环境设计的高性能存储设备，具有卓越的稳定性和耐用性。该设备采用先进的TLC NAND闪存技术，结合高性能主控芯片，确保了数据的高速读写和长期可靠性。其支持的ECC（错误校正码）技术可以在数据传输过程中检测并纠正错误，提高数据完整性。此外，该型号具备宽温工作能力（-40°C至+85°C），适合在极端温度环境下运行，如工业控制、车载系统和户外设备等。
　　在性能方面，该设备提供高达520MB/s的读取速度和480MB/s的写入速度，能够满足对数据吞吐量有高要求的应用场景。其SATA 6Gbps接口确保了与主机系统的高效通信，兼容性强，安装简便。设备内置的垃圾回收（GC）和磨损均衡（WL）算法，有助于延长使用寿命并优化性能表现。
　　安全性方面，HYIOSIJOMF3P-6S60E-C支持多种安全机制，包括数据加密、写保护和安全擦除功能，确保敏感数据不会被非法访问或篡改。这些特性使其非常适合用于金融终端、医疗设备和安防系统等对数据安全要求较高的领域。

该型号主要应用于工业自动化控制系统、通信设备、POS终端、车载导航系统、医疗仪器、智能监控设备等场景。

Kingston RBU-SNS425S364GJ, Samsung MZ7LM64E4BXX-00003, SanDisk SDSQXCF-064G-G10AP