HYG013N04NA1B6是一款高性能的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要用于功率转换、电机驱动和电源管理等应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于需要高效率和低损耗的应用场景。
这款MOSFET属于N沟道增强型,具有出色的热性能和电气性能,能够满足现代电子设备对高效能和可靠性的要求。
型号:HYG013N04NA1B6
类型:N沟道MOSFET
VDS(漏源极电压):40V
RDS(on)(导通电阻,典型值):1.3mΩ
IDS(连续漏极电流):130A
VGS(th)(栅极开启电压):2.5V~4.5V
Qg(总栅极电荷):80nC
EAS(雪崩能量):1.2J
封装形式:TO-247
HYG013N04NA1B6具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)为1.3mΩ),可以有效降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力(最大连续漏极电流可达130A),适合大功率应用。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高工作频率。
4. 良好的热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
5. 支持宽范围的栅极驱动电压,兼容多种驱动电路设计。
6. 具备一定的雪崩能量承受能力,增强了器件的鲁棒性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. 新能源汽车的逆变器模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换。
5. 各种DC-DC转换器和负载开关。
由于其卓越的性能,HYG013N04NA1B6成为这些应用中实现高效、紧凑设计的理想选择。
IRFP2907, STP130NF04