MT18N1R8C500CT 是一款由 Micron(美光)生产的 DDR3L SDRAM 内存颗粒芯片。该型号属于 LPDDR3 系列,主要应用于低功耗场景,如移动设备、平板电脑和嵌入式系统。这款芯片以高密度存储和低功耗特性著称,能够在保证性能的同时延长电池续航时间。
该芯片采用先进的制程工艺制造,具备良好的稳定性和可靠性,支持多种数据速率和接口标准,适用于需要高性能内存的电子设备。
类型:DDR3L SDRAM
容量:1Gb (128M x 8)
数据速率:800Mbps, 1066Mbps, 1333Mbps, 1600Mbps
Vdd/Vddq:1.35V
封装:FBGA 78-ball
工作温度:-40°C 至 +85°C
I/O 标准:SSTL-135
引脚间距:1.0mm
MT18N1R8C500CT 芯片采用了低功耗 DDR3L 技术,能够显著降低能耗,同时提供高速的数据传输能力。
其关键特性包括:
- 支持高达 1600Mbps 的数据速率,满足高性能应用需求。
- 1.35V 的低电压设计有助于减少功耗。
- FBGA 封装形式使其适合小型化设计,便于集成到紧凑型设备中。
- 广泛的工作温度范围确保其在各种环境下的稳定性。
- 具备 ECC(纠错码)功能选项,提高数据的完整性与可靠性。
- 符合 JEDEC 标准,易于与其他兼容硬件协同工作。
MT18N1R8C500CT 主要应用于对功耗敏感的场景,例如:
- 智能手机和平板电脑等移动设备。
- 嵌入式系统,如工业控制、医疗设备和网络通信设备。
- 可穿戴设备和其他便携式电子产品。
- 数字电视、机顶盒以及其他消费类电子产品。
由于其低功耗特性和高性能表现,该芯片特别适合需要长时间运行且对电池寿命要求较高的应用场合。
MT18N1R8C500D, MT18N1R8C500DT, MT18N1R8C500FT