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HY62U8200LLST-85 发布时间 时间:2025/9/1 11:02:38 查看 阅读:6

HY62U8200LLST-85是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等优点,适用于需要快速数据存取的各类电子设备。该SRAM芯片采用CMOS技术制造,具备非易失性数据保持能力,在不需要刷新操作的情况下可以保持数据完整性。

参数

容量:2Mbit
  组织结构:256K x 8
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:85ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  读取电流(最大):200mA
  待机电流(最大):10mA

特性

HY62U8200LLST-85 SRAM芯片具有多项显著的性能特点。首先,其高速访问时间为85ns,确保了在高速数据传输应用中的高效运行。其次,芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源环境,提高了系统的兼容性和灵活性。
  此外,该芯片具有低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,适用于对功耗敏感的应用场景,如便携式设备和电池供电系统。其工作温度范围宽达-40°C至+85°C,确保在恶劣工业环境下仍能保持稳定运行。
  该芯片采用54引脚TSOP封装,具有良好的封装可靠性和热稳定性,适合高密度PCB布局。其CMOS工艺结构不仅提高了抗噪能力,还降低了静态功耗,使芯片在各种工作条件下都能保持高效稳定的性能。

应用

HY62U8200LLST-85广泛应用于需要高性能数据缓存和快速访问的系统中。典型应用包括网络设备、工业控制系统、通信模块、医疗设备、测试仪器和嵌入式系统。在需要高可靠性和低功耗存储的场合,该芯片是一个理想的选择。

替代型号

ISSI IS62WV2568BLL-85NLI,Cypress CY62148E

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