类型：NPN型晶体管
　　封装类型：SOT-89
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大基极电流（IB）：5mA
　　最大耗散功率（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA时为110-800（具体分档）
　　噪声系数：0.5dB（典型值，1GHz）
　　增益带宽积：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LDTA114YN3T5G具有多项优异的电气特性和设计优势，适用于高性能射频和低噪声放大应用。该晶体管的噪声系数非常低，典型值仅为0.5dB，在1GHz频率下仍能保持出色的噪声性能，因此非常适合用于低噪声放大器的设计。此外，其过渡频率（fT）高达100MHz，能够支持高频信号放大，适用于射频前端电路。该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的分档可在IC=2mA时提供110至800的增益值，便于设计人员根据应用需求选择合适的型号。LDTA114YN3T5G的SOT-89封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，能够有效散热，确保器件在高负载条件下的稳定运行。此外，该晶体管的工作温度范围较宽，从-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。

LDTA114YN3T5G广泛应用于射频和微波通信系统中的低噪声放大器（LNA），特别是在无线基础设施、基站接收器、无线局域网（WLAN）和卫星通信设备中。其低噪声系数和高增益特性使其成为射频前端放大电路的理想选择。此外，该晶体管也可用于高频振荡器、混频器和功率放大器的前级放大电路。在消费类电子产品中，如数字电视接收器、FM收音机模块和蓝牙/Wi-Fi模块中，LDTA114YN3T5G也常被用作信号放大元件。由于其良好的温度稳定性和可靠性，该器件还适用于汽车电子系统中的射频模块，如车载导航系统和远程信息处理设备。

BCX55-10, BFQ55S, BFQ56S, BFQ57S