类型：光耦合器（光电晶体管输出）
　　电流传输比（CTR）：300% - 600%
　　正向电流（IF）：60 mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：70 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　封装类型：DIP-8
　　隔离电压：5300 Vrms
　　响应时间：2 μs
　　最大功耗：100 mW

CNY64A-V光耦合器的主要特性之一是其高电流传输比（CTR），典型值为300%至600%。这使得器件在较低的输入电流下仍能保持较高的输出电流，从而提高整体效率。此外，该器件具有高达5300 Vrms的隔离电压，能够提供良好的电气隔离性能，确保电路的安全性和稳定性。
　　CNY64A-V的响应时间较短，为2 μs，使其适用于高速信号传输的应用场景。该光耦合器的集电极-发射极电压为70 V，能够在较宽的电压范围内工作，适用于多种电路设计需求。此外，其工作温度范围为-55°C至+100°C，适应性较强，能够在恶劣环境下稳定运行。
　　该器件的封装为DIP-8，适合通孔安装，便于在PCB上使用。CNY64A-V还具有较低的功耗，最大功耗为100 mW，有助于降低系统的整体能耗。

CNY64A-V光耦合器广泛应用于多个领域，包括工业自动化控制系统、电源管理电路、电机控制、逆变器和变频器等。在工业自动化系统中，该器件可用于隔离控制信号和负载电路，防止干扰和电气噪声的影响，提高系统的可靠性。
　　在电源管理电路中，CNY64A-V可以用于反馈控制和隔离电源信号，确保电源系统的稳定性和安全性。此外，该器件也常用于通信设备中的信号隔离和传输，以保护设备免受高压或高电流的影响。
　　在电机控制和变频器中，CNY64A-V可用于隔离控制电路和功率电路，防止高电压或高电流对控制电路的损坏。其高速响应特性也使其适用于需要快速切换的应用场景。

CNY64A-X003V, CNY64B-V, CNY64C-V