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W631GG6MB15I TR 发布时间 时间:2025/8/21 2:45:41 查看 阅读:5

W631GG6MB15I TR是一款由Winbond公司制造的高性能、低功耗的NAND闪存芯片,适用于需要大容量存储和高效数据管理的应用场景。这款芯片采用小型封装设计,便于在各种嵌入式系统和便携设备中使用。

参数

容量:1GB
  存储类型:NAND闪存
  接口类型:SPI(串行外设接口)
  电压范围:2.3V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  读取速度:最高可达80MHz
  写入速度:最高可达40MHz

特性

W631GG6MB15I TR具备多项高性能特性,使其适用于现代电子设备的存储需求。
  首先,这款芯片的存储容量为1GB,适合存储大量数据,包括固件、操作系统文件、用户数据等。SPI接口的采用使其在连接主控芯片时所需的引脚数量较少,简化了电路板设计并降低了生产成本。
  其次,W631GG6MB15I TR支持宽电压范围(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源环境,同时保证了设备在不同条件下的稳定运行。低功耗设计也使其适用于电池供电设备,延长设备的续航时间。
  该芯片的工作温度范围较宽,从-40°C至+85°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行,例如工业控制系统和车载电子设备。
  此外,这款NAND闪存芯片的读写速度表现优异,最大读取速度可达80MHz,最大写入速度为40MHz,有效提高了系统的数据传输效率,满足实时数据处理需求。
  最后,TSOP封装设计不仅保证了芯片的高集成度,还提升了散热性能和机械稳定性,使该芯片适用于紧凑型电子设备。

应用

W631GG6MB15I TR广泛应用于多种电子设备,如嵌入式系统、物联网设备、工业自动化设备、智能卡、车载导航系统、医疗设备和消费类电子产品。其高性能、低功耗和宽温度范围的特性,使其成为工业和汽车电子应用的理想选择。

替代型号

W25N01GVZEIG,W25N01GVREIG

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W631GG6MB15I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)