时间：2025/7/22 21:22:19
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STP4NK60Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压功率MOSFET晶体管，广泛用于需要高效能功率开关的电路设计中。该器件采用先进的StripFET?技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高雪崩耐受能力和优秀的热性能。STP4NK60Z的漏源电压（Vds）为600V，最大连续漏极电流（Id）为4A，在开关电源、电机控制、照明系统以及消费类电子产品中应用广泛。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：4A（在Tc=100℃时）
漏源导通电阻（Rds(on)）：最大值1.8Ω（典型值1.6Ω）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）
STP4NK60Z采用了意法半导体独有的StripFET?垂直沟槽栅技术，显著降低了导通损耗，提高了器件的能效。该MOSFET具有出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持可靠运行。其低栅极电荷（Qg）设计使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提升了系统效率。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，有助于增强系统的稳定性和安全性。STP4NK60Z还通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于对可靠性要求较高的汽车电子应用。
在封装方面，STP4NK60Z提供TO-220和D2PAK两种形式，满足不同电路设计对散热和空间的需求。TO-220封装适合插件安装，具有良好的散热能力；而D2PAK封装则适用于表面贴装工艺，便于自动化生产并节省PCB空间。这两种封装形式都具备优异的热传导性能，确保器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。
STP4NK60Z广泛应用于各种高电压和中等功率的电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统（如HID和LED驱动）、家用电器以及工业自动化设备。由于其具备高电压耐受能力和良好的导通性能，该器件特别适合用于高效率电源转换模块的设计。此外，STP4NK60Z也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等，满足汽车应用对可靠性和性能的严苛要求。
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