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STP4NK60Z 发布时间 时间:2025/7/22 21:22:19 查看 阅读:13

STP4NK60Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高电压功率MOSFET晶体管,广泛用于需要高效能功率开关的电路设计中。该器件采用先进的StripFET?技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高雪崩耐受能力和优秀的热性能。STP4NK60Z的漏源电压(Vds)为600V,最大连续漏极电流(Id)为4A,在开关电源、电机控制、照明系统以及消费类电子产品中应用广泛。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):4A(在Tc=100℃时)
  漏源导通电阻(Rds(on)):最大值1.8Ω(典型值1.6Ω)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220、D2PAK(表面贴装)

特性

STP4NK60Z采用了意法半导体独有的StripFET?垂直沟槽栅技术,显著降低了导通损耗,提高了器件的能效。该MOSFET具有出色的热稳定性和抗雪崩能力,能够在极端工作条件下保持可靠运行。其低栅极电荷(Qg)设计使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗并提升了系统效率。此外,该器件具备较高的短路耐受能力,有助于增强系统的稳定性和安全性。STP4NK60Z还通过了AEC-Q101汽车级认证,适用于对可靠性要求较高的汽车电子应用。
  在封装方面,STP4NK60Z提供TO-220和D2PAK两种形式,满足不同电路设计对散热和空间的需求。TO-220封装适合插件安装,具有良好的散热能力;而D2PAK封装则适用于表面贴装工艺,便于自动化生产并节省PCB空间。这两种封装形式都具备优异的热传导性能,确保器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。

应用

STP4NK60Z广泛应用于各种高电压和中等功率的电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统(如HID和LED驱动)、家用电器以及工业自动化设备。由于其具备高电压耐受能力和良好的导通性能,该器件特别适合用于高效率电源转换模块的设计。此外,STP4NK60Z也常用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车身控制模块等,满足汽车应用对可靠性和性能的严苛要求。

替代型号

STP4NK60ZFP | STW4NK60Z | STP4NM60FD | STP4NK60Z-1

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STP4NK60Z参数

  • 其它有关文件STP4NK60Z View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 工具箱497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
  • 其它名称497-3191-5