时间：2025/9/2 5:02:45
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HY62SF16100LLM-95IDR 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有低功耗、高速访问时间和宽温度范围等特性，适用于工业级应用和嵌入式系统中的高速数据存储需求。
容量：16Mbit（1M x 16）
组织结构：1M x 16
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：9.5ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚 TSOP
引脚配置：x16数据总线
读写操作：异步操作
功耗：典型待机电流小于10mA
HY62SF16100LLM-95IDR 的主要特性之一是其高速访问时间，达到9.5ns，使其适用于对时间敏感的高性能嵌入式系统。芯片采用异步接口，无需时钟同步即可进行读写操作，简化了系统设计。此外，其电源电压范围为2.3V至3.6V，提供了良好的电源适应性，适合多种电源环境。该芯片的低功耗特性在待机模式下尤为突出，典型电流小于10mA，非常适合对功耗敏感的应用场景。
这款SRAM芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于紧凑型电路板设计。工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，确保在恶劣环境下的稳定运行。其1M x 16位的组织结构提供了16Mbit的总容量，适合需要大容量高速缓存的应用场合。
HY62SF16100LLM-95IDR 主要应用于工业控制设备、通信基础设施、网络设备、汽车电子系统、测试测量仪器以及高性能嵌入式系统中作为高速缓存或临时数据存储单元。其高速度和低功耗特性使其在需要快速数据存取的场合表现出色。
CY62167VLL-55B3C、IDT71V1216SA9B3C、IS61LV102416A-10B4I
