LESD5Z12.0T1G 时间：2025/8/13 11:09:30 阅读：27

LESD5Z12.0T1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，专为高速数据线路设计，提供针对静电放电和其他瞬态电压事件的高效保护。该器件采用SOD-523封装，适用于USB、HDMI、以太网、DisplayPort等高速接口的ESD保护应用。

参数

工作电压: 12V
　　钳位电压（Vc）: 最大20.3V @ Ipp=1.73A
　　峰值脉冲电流（Ipp）: 1.73A
　　反向击穿电压（Vbr）: 最小13.3V，最大14.8V
　　漏电流（Ir）: 最大0.1μA @ VRWM=12V
　　电容（Cj）: 典型值1.5pF @ VR=0V, f=1MHz
　　封装: SOD-523
　　双向保护: 是
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C

特性

LESD5Z12.0T1G具有极低的结电容，确保高速信号传输的完整性，适合USB 3.0、HDMI 1.3/1.4和DisplayPort等高频应用。
　　其双向保护结构可同时保护正负极性的ESD事件，钳位电压低，响应时间快，能在极短时间内将高能ESD脉冲泄放到地，从而保护后端电路。
　　该器件采用无铅封装，符合RoHS和IEC 61000-4-2 Level 4标准，具备高达±30kV的接触放电保护能力。
　　此外，LESD5Z12.0T1G具有极低的漏电流，在正常工作电压下对电路影响极小，确保系统稳定运行。
　　由于其SOD-523的小型封装，该器件非常适合空间受限的便携式电子产品设计。

应用

LESD5Z12.0T1G广泛应用于各种需要ESD保护的高速数据接口中，包括但不限于：USB 2.0/3.0接口、HDMI接口、DisplayPort接口、以太网接口、SD卡插槽、相机模块、音频/视频输入输出端口等。
　　在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、机顶盒、显示器等消费类电子产品中常见其身影。
　　该器件也常用于工业控制设备、通信设备、汽车电子中的高速通信接口保护，确保设备在恶劣环境下的可靠运行。