时间：2025/9/14 20:48:25
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PMZ950UPELYL 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET器件，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于服务器电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种高功率密度应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：60A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大11.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
封装形式：DFN10x12
PMZ950UPELYL 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的Rds(on)值在Vgs=10V时仅为11.5mΩ，使其在高电流应用中表现优异。
其次，该MOSFET具备优异的热性能和电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。其采用的DFN10x12封装具有低热阻特性，有助于提高散热效率，延长器件使用寿命。
此外，PMZ950UPELYL 还具备快速开关特性，其开关损耗较低，适用于高频开关电源应用。栅极电荷（Qg）仅为40nC，使得驱动电路的负担减轻，提高了整体系统的效率。
该器件还内置了较高的抗静电能力（ESD）和良好的短路耐受能力，提升了在严苛工作环境下的可靠性。其栅极保护二极管设计也有助于防止栅极电压过高导致的损坏，提高系统的稳定性。
PMZ950UPELYL 主要应用于服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和电机控制等高功率电子系统中。由于其低导通电阻和优异的热管理能力，该器件特别适用于需要高效率和高电流承载能力的场合。在服务器和数据中心的电源系统中，PMZ950UPELYL 能够显著降低功率损耗，提高能源利用率。在电池管理系统中，该MOSFET可用于高边或低边开关，实现高效的充放电控制。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统中的功率分配和管理，如车载充电器、电动助力转向系统等。其高可靠性和耐久性也使其成为工业自动化设备和智能电网设备的理想选择。
TKA950CQ, SiR182DP, IPB095N10N3G
