时间：2025/8/9 1:50:01
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2MBI175N-120 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的IGBT模块，广泛应用于工业领域的高功率开关设备中。该模块集成了一个IGBT和一个反并联的快速恢复二极管，采用双列直插式封装（DIP），适合用于逆变器、变频器以及不间断电源（UPS）等电力电子系统中。2MBI175N-120具有高耐压、低导通压降和良好的热性能，适用于中高功率应用场景。
集电极-发射极电压 Vce：1200V
集电极电流 Ic：175A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：5μs @ Vce = 800V
封装类型：双列直插式（DIP）
绝缘耐压：2500Vrms/分
2MBI175N-120模块采用了富士电机的第三代IGBT芯片技术，具备低导通损耗和开关损耗的特性，使其在高频率开关应用中表现优异。其内置的快速恢复二极管具有较低的反向恢复损耗，有助于提升系统的整体效率。模块封装结构具有良好的绝缘性能和散热能力，能够承受较高的工作电压和电流应力。此外，该模块设计紧凑，便于安装，并具有较高的可靠性和长寿命，适用于恶劣工业环境下的长期运行。
2MBI175N-120主要应用于中高功率的变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、电焊机以及太阳能逆变器等电力电子设备中。由于其高耐压和高电流能力，该模块特别适合用于需要高效能和高稳定性的工业自动化和能源转换系统。
CM150DY-24A，SKM145GB128D
