HY62C256LP-10 时间：2025/9/3 18:58:16 阅读：27

HY62C256LP-10是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K位（32K x 8），属于低功耗CMOS SRAM系列。该芯片广泛用于嵌入式系统、工业控制、通信设备及消费类电子产品中，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。HY62C256LP-10的存取时间仅为10ns，能够满足高性能系统的数据处理需求。

参数

容量：256K位（32K x 8）
　　电压范围：4.5V 至 5.5V
　　存取时间：10ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出电压兼容性：TTL兼容
　　功耗：典型待机电流小于10mA
　　数据保持电压：2.0V以上
　　封装引脚数：28引脚

特性

HY62C256LP-10是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用CMOS技术制造，具有高速访问能力和低功耗特性。其核心容量为256K位，组织形式为32K x 8位，适用于多种数据存储和缓存应用场景。该芯片的读写速度高达10ns，使得其能够满足对数据存取速度有较高要求的系统设计需求。
　　在电源管理方面，HY62C256LP-10具有低功耗待机模式，待机电流通常小于10mA，有助于降低整体系统功耗，特别适合电池供电或需要节能设计的设备。此外，该芯片支持2.0V及以上的数据保持电压，在系统掉电情况下仍可保持存储数据，提高了系统的可靠性和数据安全性。
　　该芯片的工作电压范围为4.5V至5.5V，具备较强的电源适应能力。其输入/输出引脚为TTL电平兼容，方便与各种微控制器、FPGA、DSP等主控芯片进行接口设计，简化了电路连接和系统集成。封装方面，HY62C256LP-10采用28引脚TSOP（Thin Small Outline Package）封装，体积小、重量轻，适合高密度PCB布局和便携式设备应用。
　　此外，HY62C256LP-10支持全地址和数据总线控制，具备地址锁存使能（ALE）和输出使能（OE）等控制信号，便于与不同类型的处理器和控制器进行接口。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，适用于各种严苛环境下的应用，如工业自动化控制、通信设备、智能仪表和车载电子系统等。

应用

HY62C256LP-10 SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括嵌入式系统、工业控制、通信设备、消费类电子产品等。具体应用场景包括：作为微控制器或FPGA的外部高速缓存存储器、数据缓冲存储器、临时数据存储单元、图形处理缓存、网络设备中的数据包缓存、测量仪器中的数据暂存区以及智能卡终端、POS机等设备的数据存储模块。