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HY62C256LP-10 发布时间 时间:2025/9/3 18:58:16 查看 阅读:5

HY62C256LP-10是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K位(32K x 8),属于低功耗CMOS SRAM系列。该芯片广泛用于嵌入式系统、工业控制、通信设备及消费类电子产品中,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。HY62C256LP-10的存取时间仅为10ns,能够满足高性能系统的数据处理需求。

参数

容量:256K位(32K x 8)
  电压范围:4.5V 至 5.5V
  存取时间:10ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入/输出电压兼容性:TTL兼容
  功耗:典型待机电流小于10mA
  数据保持电压:2.0V以上
  封装引脚数:28引脚

特性

HY62C256LP-10是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用CMOS技术制造,具有高速访问能力和低功耗特性。其核心容量为256K位,组织形式为32K x 8位,适用于多种数据存储和缓存应用场景。该芯片的读写速度高达10ns,使得其能够满足对数据存取速度有较高要求的系统设计需求。
  在电源管理方面,HY62C256LP-10具有低功耗待机模式,待机电流通常小于10mA,有助于降低整体系统功耗,特别适合电池供电或需要节能设计的设备。此外,该芯片支持2.0V及以上的数据保持电压,在系统掉电情况下仍可保持存储数据,提高了系统的可靠性和数据安全性。
  该芯片的工作电压范围为4.5V至5.5V,具备较强的电源适应能力。其输入/输出引脚为TTL电平兼容,方便与各种微控制器、FPGA、DSP等主控芯片进行接口设计,简化了电路连接和系统集成。封装方面,HY62C256LP-10采用28引脚TSOP(Thin Small Outline Package)封装,体积小、重量轻,适合高密度PCB布局和便携式设备应用。
  此外,HY62C256LP-10支持全地址和数据总线控制,具备地址锁存使能(ALE)和输出使能(OE)等控制信号,便于与不同类型的处理器和控制器进行接口。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,适用于各种严苛环境下的应用,如工业自动化控制、通信设备、智能仪表和车载电子系统等。

应用

HY62C256LP-10 SRAM芯片广泛应用于多个领域,包括嵌入式系统、工业控制、通信设备、消费类电子产品等。具体应用场景包括:作为微控制器或FPGA的外部高速缓存存储器、数据缓冲存储器、临时数据存储单元、图形处理缓存、网络设备中的数据包缓存、测量仪器中的数据暂存区以及智能卡终端、POS机等设备的数据存储模块。

替代型号

CY62148E-PDF55, IS62C256AL-10H, IDT71256SA10P, MX62LC2568A-10A

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