HY628400LT2-55 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速异步SRAM类别,常用于需要快速数据访问的嵌入式系统和计算机外围设备中。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于多种工业和通信应用。
类型:静态随机存取存储器(SRAM)
容量:512Kbit(64K x 8)
访问时间:55ns
电压:5V
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据宽度:8位
接口类型:异步
HY628400LT2-55 SRAM芯片采用了高性能的CMOS技术,提供快速的访问时间和较低的功耗,非常适合需要高速数据处理的应用场景。其55ns的访问时间确保了在各种高速系统中可以实现快速数据读写操作,而无需额外的等待周期。芯片的54引脚TSOP封装使其在空间受限的设计中也能轻松集成,并且具备良好的热稳定性和机械稳定性。
此外,该SRAM芯片支持异步接口,允许其与多种控制器和处理器兼容,而无需复杂的时序控制。其5V的电源供应设计使其能够与多种标准逻辑电平兼容,简化了电源设计。工作温度范围覆盖工业级要求,使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。
HY628400LT2-55还具备高可靠性和长使用寿命,适用于要求高稳定性和数据完整性的系统,如网络设备、测试设备、工业控制系统以及通信基础设施。
HY628400LT2-55 SRAM芯片广泛应用于需要高速、低延迟数据存储的场合。其典型应用包括嵌入式系统的缓存存储、数据缓冲、高速缓存控制器、图形显示缓存、工业自动化设备、通信路由器和交换机、测试测量仪器以及各种需要快速随机访问的存储应用场景。
CY62148EVLL-45ZE, IDT71V416SA55B, ISSI IS61LV256AL-55