容量：4Mbit（512K x 8）
　　组织结构：x8
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　封装尺寸：标准TSOP-II
　　最大工作频率：约14MHz（受限于访问时间）
　　功耗：典型工作电流约100mA
　　输入/输出逻辑电平：CMOS兼容

HY628400LR2-70I 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，采用了先进的CMOS制造工艺，具有较高的集成度和稳定性。其主要特性包括高速访问时间为70ns，能够支持高达14MHz的工作频率，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片的电源电压为3.3V，降低了功耗并提高了能效，同时具备宽温度范围支持（-40°C至+85°C），确保其在工业级环境中的稳定运行。此外，它采用54引脚TSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。
　　该SRAM芯片在读写操作中表现出色，具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于长时间连续运行的系统。其异步接口设计简化了控制逻辑，使得系统设计更加灵活。HY628400LR2-70I 还具备自动低功耗模式，在未被访问时可自动进入待机状态，从而降低整体功耗，延长设备续航时间。这种特性使其非常适合用于嵌入式系统、网络设备、通信模块等对功耗敏感的应用场景。

HY628400LR2-70I 适用于多种需要高速存储器的电子系统，包括但不限于：工业控制与自动化设备、嵌入式系统中的高速缓存或数据缓冲区、通信设备（如路由器、交换机）、网络处理模块、测试与测量设备、视频采集与处理系统、医疗电子设备以及消费类电子产品中的主控模块等。由于其具备低功耗、高速和宽温特性，该芯片也常用于电池供电设备或户外环境中运行的电子设备。

CY62148E-BL70I-SX, IDT71V416SA70B, IS61LV25616-70B, A62F4008-70I