时间：2025/8/18 17:48:02
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CXG1012N-T4 是一款由Cissoid公司设计的高性能、高温耐受型N沟道MOSFET功率晶体管，专门用于高可靠性工业、航空航天和电动汽车等高温环境应用。该器件采用先进的SiC（碳化硅）技术，具有出色的热稳定性和导电性能，能够在极端温度条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS=15V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
栅极电荷（Qg）：85nC
短路耐受能力：600V/12A，10μs
符合标准：RoHS
CXG1012N-T4具备优异的高温稳定性和导热性能，可在高达175°C的环境温度下持续运行，非常适合高温或恶劣环境下的电力电子系统。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，确保在极端工况下仍能保持稳定运行，提升系统的可靠性与安全性。
该MOSFET采用碳化硅（SiC）材料制造，使其在高频开关应用中表现出色，具备更低的开关损耗和更高的工作频率能力。相比传统硅基MOSFET，CXG1012N-T4在高温下仍能维持稳定的电气性能，减少了对复杂冷却系统的依赖，从而降低了系统设计的复杂度和成本。
该器件还具备出色的抗热疲劳能力和长期稳定性，适用于需要长时间运行而无需维护的高可靠性应用场景，如电动汽车逆变器、航空电源系统、工业电机驱动器以及可再生能源系统。
CXG1012N-T4广泛应用于电动汽车（EV）主驱逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、航空航天电源系统、工业电机驱动、UPS不间断电源、光伏逆变器、风力发电变流器等高温、高可靠性要求的电力电子设备中。其出色的高温耐受性能和低导通损耗使其成为高效能电力转换系统的理想选择。
C3M0065065J, SCT3040KL, SiC MOSFET 1200V 10A
