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GA0402Y123KXJAP31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:51:46 查看 阅读:6

GA0402Y123KXJAP31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,属于高效能、高频开关应用的理想选择。该器件采用先进的 GaN 工艺制造,能够显著提升电力电子系统的效率和功率密度。其设计适用于各种高功率密度应用场景,如 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC、无线充电以及激光雷达驱动等。
  相比传统的硅基 MOSFET,该型号具备更低的导通电阻、更快的开关速度以及更高的工作频率。同时,由于其出色的热性能,可以在更小的封装内实现更大的输出功率,从而降低系统体积和成本。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:85nC
  输入电容:1250pF
  反向恢复电荷:无(因 GaN 技术特性)
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻和开关损耗,可实现高达99%以上的系统效率。
  2. 高频操作能力支持 MHz 级别的开关频率,减少磁性元件的尺寸。
  3. 内置 ESD 保护功能以提高可靠性。
  4. 具备快速短路保护机制,增强在异常条件下的安全性。
  5. 小型化的芯片级封装(CSP),节省 PCB 空间。
  6. 出色的热管理性能,确保高温环境下的稳定运行。
  7. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。

应用

1. 高效 DC-DC 转换器设计。
  2. 图腾柱无桥 PFC 电路。
  3. 快速充电适配器和移动电源。
  4. 激光雷达驱动器。
  5. 无线功率传输模块。
  6. 工业电机驱动与控制。
  7. 新能源汽车车载充电器(OBC)及逆变器。
  8. 数据中心服务器电源单元(PSU)。

替代型号

GAN041-650WSA, EPC2045, GS66508T

GA0402Y123KXJAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-