时间：2025/7/11 12:15:52
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HUFA76419D3ST 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用而设计。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等场景。
其封装形式为 DPAK（TO-252），能够有效提升散热性能并支持较高的电流承载能力。同时，它支持逻辑电平栅极驱动，简化了电路设计。
型号：HUFA76419D3ST
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压 (Vds)：60 V
连续漏极电流 (Id)：41 A
栅极-源极电压 (Vgs)：±20 V
导通电阻 (Rds(on))：3.8 mΩ (典型值，Vgs=10V)
总功耗：117 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK (TO-252)
HUFA76419D3ST 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，减少开关损耗，特别适用于高频应用。
3. 支持逻辑电平驱动，使得该器件能够直接与微控制器或其他低电压信号源配合使用。
4. 高电流承载能力和优异的热性能，使其能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
5. 具备反向恢复电荷极低的体二极管，有助于进一步降低开关损耗。
6. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适用于各种工业和汽车环境。
HUFA76419D3ST 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 汽车电子系统，如电机驱动、电池管理系统 (BMS) 和车载充电器。
3. 工业控制设备中的负载开关和保护电路。
4. 通信设备中的高效功率转换模块。
5. 大功率 LED 驱动器和逆变器。
由于其出色的电气特性和热性能，HUFA76419D3ST 成为了许多高功率密度应用的理想选择。
IRF7739PBF
AO6804
FDP5802
