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GA1210A682JXBAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:19:48 查看 阅读:10

GA1210A682JXBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备高效率、低导通电阻以及出色的热性能。
  其主要功能是作为开关或放大器件,在电路中实现电流的控制与调节。该型号经过优化设计,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  最大漏源电压(Vdss):120V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):6.8mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  功耗(PD):90W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1210A682JXBAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用环境。
  3. 高度可靠的封装设计,确保在恶劣条件下依然保持稳定性能。
  4. 具备优异的热性能,有效降低温升。
  5. 支持大电流操作,适应多种负载需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

这款功率 MOSFET 可用于以下应用场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流器。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
  5. 各类工业自动化设备中的负载切换。
  6. 汽车电子中的高可靠性电源管理方案。

替代型号

IRFZ44N
  FQP50N06L
  AOD510
  STP10NK60Z

GA1210A682JXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-