时间：2025/9/2 8:12:49
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HY628400ALLT2-55I 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有较大的存储容量和优异的性能，适用于需要高速数据存储和快速访问的应用场景。该型号属于异步SRAM类别，采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，适合在工业级温度范围内稳定工作。
容量：512K x 8位
组织结构：512KB
访问时间：55ns
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：54
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
最大工作频率：约18MHz（基于访问时间计算）
读取电流（典型值）：150mA
待机电流：10mA（最大）
HY628400ALLT2-55I 是一款高性能的异步SRAM芯片，专为需要快速数据访问和高可靠性的应用而设计。其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计以及工业级温度适应能力。该芯片在待机模式下电流消耗极低，适合用于电池供电或低功耗系统。其异步接口设计使其能够与多种控制器或处理器兼容，无需复杂的时钟同步机制。芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和空间节省优势，适合在嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及通信模块中使用。
此外，HY628400ALLT2-55I 支持全地址/数据解复用模式，允许用户灵活地配置其接口。该芯片的输入/输出电平兼容3.3V逻辑，可直接与现代微处理器或控制器连接，无需额外的电平转换电路。内置的自动低功耗模式（待机模式）可在不使用时显著降低功耗，提高系统能效。整体来看，HY628400ALLT2-55I 是一款适用于多种高性能嵌入式应用场景的理想SRAM解决方案。
HY628400ALLT2-55I 主要应用于需要高速数据缓存和临时存储的场合，例如嵌入式系统的主存或高速缓存、工业自动化控制设备、通信模块（如路由器、交换机）、视频采集与显示系统、医疗设备中的数据缓冲区、手持设备和便携式电子产品等。其低功耗和宽温特性也使其适合用于对环境适应性要求较高的户外或工业现场设备中。
CY62148EALLI-55, IDT71V416SA55PI, ISSI IS61LV5128ALLB55
