时间：2025/9/2 11:29:52
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H9TP32A4GDDCPR-KGM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）系列。该芯片专为高性能移动设备设计，适用于需要大容量内存和低功耗的应用场景，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具备较高的数据传输速率和较低的工作电压，能够在保证性能的同时有效降低功耗。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB（32Gb）
封装类型：FBGA
数据速率：3200Mbps
工作电压：1.1V
位宽：16位
时钟频率：1600MHz
封装尺寸：134 balls
工作温度范围：-40°C至85°C
H9TP32A4GDDCPR-KGM 具备多项先进特性，首先是其高容量设计，4GB的存储空间可以满足现代高性能设备对内存的需求。其LPDDR4标准使其在高速运行时仍能保持较低的功耗，非常适合移动设备和嵌入式系统。
该芯片采用1.1V的核心电压，降低了能耗并减少了发热，有助于提高设备的续航能力和稳定性。此外，其1600MHz的时钟频率和3200Mbps的数据速率，使其能够支持高速数据处理，满足多任务处理、高清视频播放、图形密集型游戏等高性能需求。
H9TP32A4GDDCPR-KGM 使用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，封装尺寸为134 balls，这种封装形式具有良好的电气性能和热管理能力，适合高密度PCB布局，有助于减小设备体积并提高可靠性。
该芯片还支持多种低功耗模式，如预充电待机模式、自刷新模式等，可在设备空闲或休眠时显著降低功耗，延长电池寿命。同时，它具备较宽的工作温度范围（-40°C至85°C），适用于各种严苛的环境条件。
H9TP32A4GDDCPR-KGM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、车载信息娱乐系统、工业控制设备和嵌入式系统等需要高性能、低功耗内存的领域。其高容量和低功耗特性也使其成为5G通信设备、AI加速模块和边缘计算设备的理想选择。
H9TP32A4GDDCPR-KEC, H9TP64A8JDMCPR-KEC, H9TRD8A4GTACUR-KEM
