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HY628400ALLG70 发布时间 时间:2025/9/2 0:02:39 查看 阅读:3

HY628400ALLG70 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速SRAM存储器系列,广泛用于需要高速数据存取的应用场景,例如高速缓存、嵌入式系统和网络设备。该芯片具有较大的存储容量和快速的访问时间,适用于需要高性能和稳定性的系统。

参数

容量:256K x 16位
  访问时间:70ns
  封装类型:54引脚TSOP
  工作电压:3.3V
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行
  数据宽度:16位

特性

HY628400ALLG70 是一款高性能的SRAM芯片,具有较低的延迟和较高的可靠性,适合需要高速数据处理的系统应用。其主要特性包括高速访问时间(70ns),确保数据在极短的时间内被读取或写入,适用于对响应时间有严格要求的场景。
  该芯片采用54引脚TSOP封装,体积小巧,适合空间受限的设计。其工作电压为3.3V,兼容现代电子设备的低压供电标准,有助于降低功耗和提高能效。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,适用于各种恶劣环境下的稳定运行。
  HY628400ALLG70 采用并行接口设计,数据宽度为16位,支持快速的大容量数据传输,适用于高速缓存、网络交换设备和嵌入式系统等应用。其SRAM架构无需刷新操作,确保数据稳定存储,同时降低了系统复杂性。

应用

HY628400ALLG70 广泛应用于需要高速数据存储和访问的系统中。例如,在网络设备中,它可以用作高速缓存来提高数据处理效率;在嵌入式系统中,可以作为主存储器或临时数据存储器,提升系统的响应速度和稳定性;在工业控制系统中,由于其宽温度范围和高可靠性,能够确保系统在恶劣环境下正常运行。此外,该芯片也可用于测试设备、通信设备以及消费类电子产品中,提供高效的数据存储解决方案。

替代型号

CY7C1041GN30-10ZSXI, IDT71V433S16TG7S

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