时间：2025/9/14 4:33:01
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BUK6212-40C,118 是由 NXP Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，提供低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性。其封装形式为 TO-220，适用于多种工业和汽车电子应用。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id): 12 A
最大漏源电压 (Vds): 40 V
最大栅源电压 (Vgs): ±20 V
导通电阻 (Rds(on)): 0.012 Ω（典型值）
最大功耗 (Ptot): 62 W
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
封装类型: TO-220
BUK6212-40C,118 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。其采用的 TrenchFET 技术不仅提高了器件的性能，还减少了导通损耗和开关损耗。该器件的高电流处理能力（高达 12A）使其非常适合用于大功率电源转换和电机控制应用。
此外，该 MOSFET 提供了良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其±20V的栅极电压耐受能力增强了器件在复杂电路环境中的可靠性。TO-220 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成。
该器件还具备快速开关特性，能够减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统的效率。其广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 使其适用于各种苛刻环境下的应用，包括汽车电子和工业控制领域。
BUK6212-40C,118 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及汽车电子系统中。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源设计的理想选择。此外，该器件也可用于工业自动化设备、电源适配器和 UPS 系统中，以提高系统的整体性能和可靠性。
BUK6212-40CX,118; BUK6212-40E,118
