HY628100BLT1-70 时间：2025/9/2 9:58:05 阅读：11

HY628100BLT1-70 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 128K x 8 位，即总容量为 1Mbit。这款SRAM芯片广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。该器件采用 CMOS 工艺制造，具有低功耗和高速性能的特点，适用于各种高性能系统中的数据缓存和临时存储。封装形式为 52 引脚 TSOP（薄型小外形封装），适合现代高密度 PCB 设计。

参数

容量：128K x 8 位（1Mbit）
　　工作电压：3.3V（或 5V 可选）
　　访问时间：70ns
　　封装类型：52 引脚 TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装尺寸：约 18mm x 20mm
　　接口类型：并行异步接口
　　最大工作频率：约 14.28 MHz（基于访问时间）
　　功耗：典型值 150mA（工作模式）

特性

HY628100BLT1-70 是一款高性能 SRAM 芯片，具有以下主要特性：
　　首先，它具备高速访问能力，访问时间仅为 70ns，使得它适用于对数据存取速度有较高要求的应用场景。这对于实时系统、高速缓存等场景来说至关重要。
　　其次，该芯片支持 3.3V 或 5V 的供电电压，具有良好的电压兼容性，能够适应不同的系统设计需求。此外，采用 CMOS 工艺制造，具有较低的静态功耗，在待机或低功耗模式下能够有效节省能源，适用于对功耗敏感的应用系统。
　　该芯片采用 52 引脚 TSOP 封装，具有较小的封装体积，适用于高密度 PCB 设计。同时，其工业级的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣的工业环境下稳定运行，广泛适用于工业控制、通信设备等应用场景。
　　HY628100BLT1-70 支持标准的异步并行接口，兼容多种微处理器和控制器的接口标准，便于集成到各种嵌入式系统中。这种接口的通用性和灵活性降低了系统设计的复杂度，提高了系统的兼容性和可扩展性。
　　此外，该 SRAM 芯片内部无内置刷新机制，数据存储依赖于供电状态，因此适用于需要快速访问而不需要刷新的场景，如高速缓存、程序存储等。

应用

HY628100BLT1-70 主要用于需要高速随机存取存储器的应用场景。例如，在嵌入式系统中，该芯片可作为主处理器的外部高速缓存，用于临时存储频繁访问的数据和指令，从而提高系统性能。在工业控制系统中，它可以用于存储运行时数据、状态信息或配置参数。此外，HY628100BLT1-70 还广泛应用于网络设备、路由器、交换机以及通信模块，用于缓存数据包和临时存储通信协议所需的数据。在消费类电子产品中，如智能家电、智能仪表等，该芯片也可用于提升系统的响应速度和数据处理能力。