PESDWC9D5VB是一款高性能的双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护高速数据接口免受静电放电(ESD)、浪涌和其他瞬态电压威胁。该器件采用先进的硅雪崩技术制造,具有低电容和快速响应时间的特点,能够有效保护敏感电子设备。它广泛应用于USB、HDMI、以太网等高速接口电路中。
工作电压:±5V
峰值脉冲电流:2A
最大箝位电压:±10.4V
电容:9pF
响应时间:<1ns
封装:DFN-6
工作温度范围:-55℃至+150℃
PESDWC9D5VB具备双向保护功能,可同时对正负方向的瞬态电压进行抑制。
其低电容设计(9pF)使其非常适合用于高速信号线路,不会对信号完整性造成显著影响。
该器件具有极快的响应时间(<1ns),能够迅速抑制瞬态电压,从而保护下游电路。
PESDWC9D5VB符合IEC 61000-4-2国际标准,提供高达±30kV(空气放电)和±30kV(接触放电)的ESD防护能力。
其小型DFN-6封装适合空间受限的应用场景,同时具备良好的散热性能。
PESDWC9D5VB主要应用于各种消费类电子产品、工业设备和通信设备中的高速接口保护。
典型应用场景包括USB 2.0/3.0端口、HDMI接口、以太网端口、音频/视频信号线以及无线模块接口等。
此外,它也可用于汽车电子系统中,为车载信息娱乐系统、导航系统及其他敏感电路提供可靠的ESD保护。
PESD2CAN_TSA1, PESD5V0R1PB, PESD7V5R1PA