时间：2025/9/1 12:58:24
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HY628100BLLTI-55I 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用高性能的CMOS工艺制造，具备低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要高速数据存取的应用场合。该SRAM芯片的容量为128K x 8位，提供异步工作模式，使其能够在各种嵌入式系统和数据缓冲应用中广泛使用。其封装形式为54引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下稳定运行。
类型：SRAM
容量：128K x 8位（1Mbit）
访问时间：55ns
电源电压：3.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：54引脚TSOP
引脚数量：54
接口类型：异步
最大工作频率：约18MHz
数据宽度：8位
功耗：低功耗CMOS工艺
封装类型：工业级
HY628100BLLTI-55I 具备多个关键特性，使其适用于多种高性能存储应用。首先，其高速访问时间为55纳秒，支持高达18MHz的工作频率，能够满足对数据读写速度要求较高的系统需求。其次，该芯片采用低功耗CMOS工艺，在保证高性能的同时实现节能运行，适用于便携式设备和对能耗敏感的系统。
该SRAM芯片具有异步接口，支持与多种微处理器和控制器的无缝连接，简化了系统设计和集成。此外，它的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于工业控制、通信设备、自动化系统等严苛环境下的稳定运行。
HY628100BLLTI-55I 采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于PCB布局，并具备良好的散热性能。该芯片还具备高可靠性和长寿命，适用于长期运行的工业和嵌入式应用。
HY628100BLLTI-55I 广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统和工业设备。例如，它可以用于网络设备中的数据缓存、工业控制器的临时存储、测试设备的高速数据采集、通信模块的数据缓冲等场景。此外，该芯片也可用于汽车电子、智能仪表、安防系统等对稳定性和可靠性要求较高的应用领域。
CY62148BLL-55DC、IDT71V416SA55B、AS6C6216-55PCN、IS61LV128AL-55I、M5M51008A-55X
