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HY628100BLLTI-55I 发布时间 时间:2025/9/1 12:58:24 查看 阅读:7

HY628100BLLTI-55I 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高性能的CMOS工艺制造,具备低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要高速数据存取的应用场合。该SRAM芯片的容量为128K x 8位,提供异步工作模式,使其能够在各种嵌入式系统和数据缓冲应用中广泛使用。其封装形式为54引脚TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下稳定运行。

参数

类型:SRAM
  容量:128K x 8位(1Mbit)
  访问时间:55ns
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:54引脚TSOP
  引脚数量:54
  接口类型:异步
  最大工作频率:约18MHz
  数据宽度:8位
  功耗:低功耗CMOS工艺
  封装类型:工业级

特性

HY628100BLLTI-55I 具备多个关键特性,使其适用于多种高性能存储应用。首先,其高速访问时间为55纳秒,支持高达18MHz的工作频率,能够满足对数据读写速度要求较高的系统需求。其次,该芯片采用低功耗CMOS工艺,在保证高性能的同时实现节能运行,适用于便携式设备和对能耗敏感的系统。
  该SRAM芯片具有异步接口,支持与多种微处理器和控制器的无缝连接,简化了系统设计和集成。此外,它的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于工业控制、通信设备、自动化系统等严苛环境下的稳定运行。
  HY628100BLLTI-55I 采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于PCB布局,并具备良好的散热性能。该芯片还具备高可靠性和长寿命,适用于长期运行的工业和嵌入式应用。

应用

HY628100BLLTI-55I 广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统和工业设备。例如,它可以用于网络设备中的数据缓存、工业控制器的临时存储、测试设备的高速数据采集、通信模块的数据缓冲等场景。此外,该芯片也可用于汽车电子、智能仪表、安防系统等对稳定性和可靠性要求较高的应用领域。

替代型号

CY62148BLL-55DC、IDT71V416SA55B、AS6C6216-55PCN、IS61LV128AL-55I、M5M51008A-55X

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