HY628100BLLG-55 时间：2025/9/2 11:06:29 阅读：27

HY628100BLLG-55 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款芯片采用先进的CMOS技术制造，提供高速的数据访问能力，适用于对性能和稳定性要求较高的电子设备。该SRAM芯片采用55ns的访问时间，能够满足高速缓存、数据缓冲和实时处理等应用场景的需求。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于各种空间受限的电路板设计。

参数

容量：128K x 8位
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装形式：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出接口：并行接口
　　最大工作频率：约18MHz
　　功耗（典型值）：120mA（待机模式下为10mA）

特性

HY628100BLLG-55 采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点，适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。其高速访问时间为55ns，使得该芯片能够在高频环境下保持稳定运行，提高系统的响应速度。该芯片支持低电压操作，工作电压范围为2.3V至3.6V，使其适用于多种电源管理系统和电池供电设备。
　　HY628100BLLG-55 还具有宽温度范围的工作能力，可以在-40°C至+85°C的温度环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。该SRAM芯片具备自动低功耗待机模式，在不进行数据访问时可显著降低功耗，从而延长设备的电池寿命。
　　在封装方面，该芯片采用了TSOP封装技术，减小了封装尺寸并提高了散热性能，适用于空间受限的PCB布局。此外，HY628100BLLG-55 具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的电磁环境中保持数据的完整性和可靠性。

应用

HY628100BLLG-55 主要应用于需要高速缓存和快速数据访问的嵌入式系统，如网络路由器、工业控制器、通信设备和测试仪器。由于其低功耗和宽温度范围的特性，该芯片也广泛用于汽车电子系统、便携式设备和智能仪表中。
　　在通信设备中，该SRAM芯片可用于高速缓存存储，提高数据传输和处理效率。在工业控制系统中，它可以作为临时数据存储单元，确保系统在高负载情况下仍能稳定运行。此外，HY628100BLLG-55 也适用于图像处理设备、医疗电子设备和消费类电子产品，如高端打印机、扫描仪和数字摄像机等。
　　由于其TSOP封装设计，该芯片在便携式电子产品中具有良好的适应性，特别适用于对尺寸和功耗要求较高的应用场合。