类型：双路MOSFET模块
　　最大漏源电压(Vds)：1000V
　　最大漏极电流(Id)：400A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.0mΩ
　　封装类型：H1模块封装
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　短路耐受能力：有
　　最大耗散功率：500W
　　栅极电荷(Qg)：典型值为150nC
　　输入电容(Ciss)：典型值为8000pF

SKN2M400/10H1的双路MOSFET结构使其能够在高电压和高电流条件下提供卓越的性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率。此外，该模块具有快速开关特性，能够减少开关损耗，适用于高频开关应用。模块的封装设计优化了散热性能，使得在高负载条件下仍能保持较低的温度，提高了系统的可靠性和耐用性。此外，该器件具有较强的短路耐受能力，可以在瞬态过载条件下保持稳定运行，避免损坏。其宽广的工作温度范围也使得它适用于各种恶劣环境条件下的应用。
　　SKN2M400/10H1还具备良好的电磁兼容性（EMC）性能，减少了电磁干扰（EMI），从而提高了系统整体的稳定性。其模块化设计便于安装和维护，并且在并联应用中表现出色，适用于需要更高功率输出的设计。此外，该模块符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。

SKN2M400/10H1广泛应用于各种高功率电力电子系统，如工业电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及高功率电源转换器等。在这些应用中，该模块能够有效提高系统的能效，减少能量损耗，并增强系统的整体可靠性。此外，由于其优异的短路保护能力和良好的热管理性能，SKN2M400/10H1也适用于需要频繁启停或承受瞬态过载的高要求应用场景。

SKN2M500/12H1, SKN2M350/8H1