HY6264LJ-70 时间：2025/9/2 2:42:37 阅读：8

HY6264LJ-70 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的 8K x 8 位高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要快速数据读写的嵌入式系统和工业控制设备。该SRAM的容量为64Kbit，组织方式为8位数据总线，访问时间仅为70ns，适用于中高端工业和通信设备。

参数

容量：64Kbit
　　组织方式：8K x 8位
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装形式：28引脚 DIP 或 28引脚 SOIC
　　读取电流（最大）：120mA
　　待机电流（最大）：10mA

特性

HY6264LJ-70 是一款高速静态存储器，其主要特性包括高速访问时间70ns，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用CMOS工艺，具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低。此外，它支持5V供电电压，具有良好的兼容性，适用于多种嵌入式控制系统。
　　该芯片支持异步操作，无需时钟信号即可进行读写操作，简化了电路设计。其封装形式包括28引脚DIP和SOIC，适合不同类型的PCB布局需求。由于其稳定性和可靠性，HY6264LJ-70广泛用于工业控制、通信设备、测试仪器以及老旧的计算机系统中。
　　在封装和引脚定义方面，HY6264LJ-70与行业标准兼容，方便替换和升级。芯片内部没有内置电池，因此无需考虑电池供电的问题。此外，该芯片具有较强的抗干扰能力，适用于电磁环境较为复杂的工业现场。