容量：32K x 8位
　　电源电压：5V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装引脚数：28
　　数据保持电压：3.0V至5.5V

HY62256BLLJ55 是一款高速SRAM芯片，其主要特点包括低功耗、高速访问和稳定性强。该芯片的访问时间仅为55ns，使其能够在高频操作环境下提供快速的数据读写能力。
　　该芯片采用CMOS技术制造，具有良好的功耗控制能力，特别适合需要长时间运行且功耗要求较低的应用场景。
　　此外，HY62256BLLJ55 采用28引脚TSOP封装，符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境下的嵌入式系统和工业控制设备。
　　其数据保持电压范围为3.0V至5.5V，确保在不同供电条件下数据的稳定性，即使在系统掉电的情况下也能通过备用电源维持数据的完整性。
　　这款SRAM芯片还具备高可靠性和抗干扰能力，适用于对数据存储和访问速度有较高要求的场合，如网络设备、测量仪器、自动化控制设备等。

HY62256BLLJ55 通常用于需要快速数据访问和低功耗特性的嵌入式系统和工业应用。其典型应用包括工业控制器、通信模块、测量仪器、打印机缓存、智能卡读写器以及需要临时存储数据的电子设备。
　　在工业控制系统中，该芯片可作为高速缓存，用于存储实时数据和程序指令，提高系统响应速度。
　　在通信设备中，HY62256BLLJ55 可用作缓冲存储器，支持高速数据传输和处理，确保数据传输的稳定性和实时性。
　　此外，该芯片也广泛应用于各种需要低功耗SRAM的便携式设备中，如手持终端、数据采集器和智能传感器，满足对电池续航和性能的双重需求。

CY62257BLL-55ZSXC, IDT71256L12TPG, AS6C62256C-55PCN