类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：30V
　　最大漏极电流(Id)：150mA
　　最大功耗(Pd)：400mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：约0.5Ω（典型值）
　　增益带宽：高达100MHz
　　封装形式：TO-92

2SK963 MOSFET具有多项优异的电气和机械特性，使其在各种电子应用中表现出色。
　　首先，该器件的高漏源电压（500V）允许其在高压环境中安全运行，同时保持较低的导通损耗。其低导通电阻（Rds(on)）约为0.5Ω，使得在导通状态下能够提供较高的电流传输效率，减少能量损耗。
　　其次，2SK963的栅极驱动特性非常稳定，最大栅源电压为30V，这使其在不同的驱动条件下仍能保持良好的性能。此外，该器件的高频特性良好，增益带宽可达100MHz，非常适合用于高频开关电路中。
　　在热管理方面，2SK963具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。其最大功耗为400mW，确保在长时间运行中不会因过热而损坏。封装形式为TO-92，具有较高的机械强度和易于安装的特点。
　　此外，2SK963具有较小的输入电容和输出电容，这有助于提高开关速度并减少信号延迟，使其非常适合用于高速开关和信号处理应用。

2SK963 MOSFET因其优异的性能，在多个电子领域中得到广泛应用。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和稳压器设计中，提供高效的能量转换。在音频放大器领域，2SK963被用于前置放大器和高频放大器电路，其高频特性能够有效提升音频信号的清晰度和稳定性。
　　在电机驱动系统中，2SK963可以作为H桥电路中的开关元件，控制直流电机的正反转和调速。由于其低导通电阻和高开关速度，可有效减少电机运行时的能量损耗，提高整体效率。
　　此外，该晶体管也常用于高频信号发生器、射频放大器和脉冲宽度调制（PWM）控制器中，适用于各种工业自动化和通信设备。在消费类电子产品中，2SK963可用于LED驱动、电池管理系统和便携式设备的电源控制电路。

2SK1058, 2SK241, 2SK170