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HY6220T081ED-70C 发布时间 时间:2025/9/1 11:06:24 查看 阅读:4

HY6220T081ED-70C 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速、低功耗的SRAM类型,常用于需要快速数据访问和稳定存储的系统中。该型号为TSOP封装,适合用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备等应用场景。

参数

类型:静态随机存取存储器(SRAM)
  容量:2 Mbit(256K x 8)
  电源电压:3.3V
  访问时间:7ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据保持电压:1.5V至3.6V
  最大工作电流:160mA(典型值)
  待机电流:10mA(最大值)

特性

HY6220T081ED-70C是一款高速SRAM芯片,其访问时间为7ns,支持快速数据读写操作,适用于对响应速度要求较高的应用系统。芯片采用3.3V电源供电,降低了功耗,同时具备低待机电流特性,有助于延长设备的电池寿命。该芯片在正常工作模式下的最大电流为160mA,待机电流最大为10mA,能够在高性能与低功耗之间取得良好平衡。
  此外,HY6220T081ED-70C具有宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),符合工业级标准,适用于严苛环境条件下的稳定运行。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提升封装密度,适合用于高集成度的电路设计。
  在数据保持方面,该芯片在1.5V至3.6V电压范围内均可维持数据完整性,即使在低电压状态下也能确保数据不丢失,适用于需要可靠数据存储的应用场景。

应用

HY6220T081ED-70C广泛应用于嵌入式系统、工业自动化控制、通信模块、网络设备、手持设备、测量仪器以及需要高速缓存和临时数据存储的系统中。

替代型号

IS61LV2568-7TLI、CY62148E等。

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